提出一种SOI基的新型隧穿场效应晶体管（TFET）探测器结构，将光电二极管与TFET结合，实现光信号的探测放大.光电二极管的正极与TFET的栅极互连，感光后光电二极管的光生电势调控TFET的沟道势垒，控制TFET的输出电流，实现光信号到电流信号的转化.陡峭的亚阈值摆幅能有效放大输出电流，提高TFET探测器的响应度.应用SILVACO完成探测器结构和性能的模拟仿真.光电二极管的光生电势通过较薄的BOX区形成了TFET的底部栅压，增强了对沟道势垒的控制能力，增大了输出电流，结果表明，探测器对弱光具有较高的响应度，当入射光强小于10 mW/cm²时，响应度可超过10⁴ A/W.此外，通过调整光电二极管的反偏电压、在源区与沟道间插入n⁺口袋等方法可显著提高探测器的输出电流和响应度.

针对可见光通信对硅基光电探测器高响应度的要求，本文利用亚波长金属光栅的异常光学透射现象，提出一种增强与硅基CMOS工艺兼容的金属-半导体-金属光电探测器吸收的方法。采用时域有限差分法，详细分析了光栅周期、光栅高度和狭缝宽度对探测器吸收性能的影响，证明了类法布里-珀罗共振和表面等离子体激元是吸收增强的物理起源。对于波长615 nm的红光通信而言，探测器金属光栅的最佳周期、最佳高度和最佳狭缝宽度分别为580，91，360 nm。与没有亚波长金属光栅结构的探测器相比，本文设计的探测器吸收系数提高了32%。本文研究的MSM探测器结构与CMOS工艺完全兼容，有望在可见光通信芯片中得到实际应用。

基于深亚微米CMOS工艺, 设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响, 结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概率和光子探测效率.仿真和计算结果表明, 保护环间距d=0.6 μm时器件性能最优, 此时击穿电压为13.5 V, 暗电流为10－11A.在过偏压为2.5 V时, 门控模式下的暗计数概率仅为0.38%, 器件在400~700 nm之间具有良好的光学响应, 500 nm时的峰值探测效率可达39%.

基于UMC 0.18μm CMOS工艺，提出一种适合紫外/蓝光探测的探测器，该器件由栅体互联的NMOS晶体管和横向/纵向光电二极管构成.其中，浅结的光电二极管由UMC工艺中Twell层（浅P阱）和Nwell层形成，以增强其对紫外/蓝光的吸收，栅体互联的NMOS晶体管可以放大光电流，提高探测器的灵敏度和动态范围.仿真结果表明，本文设计的紫外/蓝光探测器具有低的工作电压和暗电流，对300~550 nm波长范围的光具有高的响应度和宽的动态范围.在弱光条件下（光强小于1 μW/cm2），响应度优于105 A/W，随着光强增大，响应度逐渐降低，但总体仍超过103 A/W.

基于标准CMOS工艺的p+源/漏区和n阱, 设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管(Si-LED), 采用UMC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺设计制备。测试结果表明, 正向注入型p+/n-well二极管的发射波长位于近红外波段, 峰值波长在1 130 nm附近, 且工作电压小于2 V, 与标准CMOS电路兼容。其中, 八瓣结构的Si-LED (TS2)在200 mA时的发光功率可达1 200 nW, 且未出现饱和, 而注入电流为40 mA时的最大功率转换效率达5.8×10-6, 约为四瓣结构器件(TS1)的2倍。所研制的Si-LED具有工作电压低、转换效率高等优点, 有望在光互连领域得到应用。

A novel superimposed photodetector (PD) is put forward. The photodetector can obtain a couple of differential photocurrent signals from one input optical signal. The light injection efficiency and the vertical work distance of this new photodetector are much higher than those of the others. The superimposed photodetctor is designed based on the standard 0.18 μm CMOS process. The responsivity, bandwidth and transient response of the photodetector are simulated by a commercial simulation software of ATLAS. The responsivities of two obtained photocurrent signals are 0.035 A/W and 0.034 A/W, while the bandwidths are 3.8 GHz and 5.2 GHz, respectively. A full differential optical receiver which uses the superimposed photodetector as input is simulated. The frequency response and 4 Gbit/s eye diagram of the optical receiver are also obtained. The results show that the two output signals can be used as the differential signal.

采用无锡华润上华(CSMC) 0.5 μm 标准CMOS工艺，设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在p型衬底上进行n+掺杂，与p衬底形成两个相对的n+p结，其中一个结正向偏置，发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光；另一个结同样正偏，作为注入结对发光进行调制。测试结果显示：第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率，在10 mA偏置电流、3 V调制电压下，可获得1 nW的光功率，与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低，该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成，在光电集成领域具有一定的应用前景。

利用有限元法(FEM)分析了大横截面SOI(Silicon-on-insulator)脊型波导的本征模式分布, 确定了脊型波导的单模条件。在保证单模传输的情况下, 模拟了SOI微环谐振器中波导耦合器的耦合长度、功率耦合系数与波导尺寸和间距的关系。模拟结果表明：对于W=1 μm, H=2 μm的SOI脊型波导耦合器, 耦合长度LC随波导间距d的增加而增大, 功率耦合系数随之减小。在波导间距d＜0.8 μm的情况下, 耦合长度LC随着归一化脊高r的增加而增大, 当d＞0.8 μm时, 耦合长度LC随r的增加而减小。模拟结果为SOI微环谐振器的设计和应用提供了理论依据。

采用0.35 μm 双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型Si LED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结，n阱为叉指结构，嵌入到p衬底中而结合成Si pn结LED。观察了Si LED发光显微图形及实际器件的版图，并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功率及光谱特性的测量。Si LED 的正向偏置时开启电压为0.9 V，反向偏置时在15 V左右可观察到发光。器件在室温下反向偏置时，10 V, 100 mA电流下所得输出光功率为12.6 nW，发光峰值在758 nm处。